晶圓從單晶硅棒拉制完成經(jīng)歷了切片、研磨、拋光等加工工序，中間接觸了拋光劑、研磨料等各種化學(xué)試劑，同時還受到了微粒的污染，因此最后需要將這些雜質(zhì)清除干凈。

　　當(dāng)分子型雜質(zhì)吸附在硅片表面時，化學(xué)清洗首先清洗這些有機雜質(zhì)，可用四氯化碳、三氯乙烯、甲苯、丙酮、無水乙醇等有機溶劑，也可采用濃硫酸碳化、硝酸或堿性過氧化氫洗液氧化等方法去除。

　　離子型和原子型吸附的雜質(zhì)用鹽酸、硫酸、硝酸或堿性過氧化氫洗液以清洗掉離子型吸附雜質(zhì)，然后再用王水或酸性過氧化氫清洗掉殘存的離子型雜質(zhì)及原子型雜質(zhì)，最后用高純水將硅片沖洗干凈。

　　綜上，清洗硅片的一般步驟為：去分子型雜質(zhì)→去離子型雜質(zhì)→去原子型雜質(zhì)→高純水清洗。